Interleaving
　Interleaving（交叉存取技术），加快内存速度的一种技术。举例来说，将存储体的奇数地址和偶数地址部分分开，这样当前字节被刷新时，可以不影响下一个字节的访问。

JEDEC
　JEDEC （Joint Electron Device Engineering Council），电子元件工业联合会。JEDEC是由生产厂商们制定的国际性协议，主要为计算机内存制定。工业标准的内存通常指的是符合JEDEC标准的一组内存。

MCH
　Memory Controller Hub (MCH)－内存控制中心，Intel 8xx（例如820或840）芯片组中用于控制AGP、CPU、内存（RDRAM）等组件工作的芯片。

MDRAM
　MDRAM （Multibank Dynamic RAM）－多BANK动态内存，MDRAM是MoSys公司开发的一种VRAM（视频内存），它把内存划分为32KB的一个个BANK（存储库），这些 BANK可以单独访问，每个储存库之间以高于外部的数据速度相互连接。其最大特色是具有"高性能、低价位"特性，最大传输率高达666MB/S，一般用于高速显卡。

Micro BGA
　Micro BGA (μBGA)－缩微型球状引脚栅格阵列封装，Tessera, Inc.公司开发的的一种BGA 芯片封装技术，主要用于高频工作的RDRAM。这种技术能把芯片尺寸做得更小，提高了散热性，使内存条的数据密度增大了。

Non-Composite
　苹果电脑的内存术语，表示一种采用了新技术的内存条。该内存条上的芯片颗粒很少，但数据密度却非常高。Non-composite 内存条比 composite 内存条工作更可靠，但价格也相对高。

PC100
　JEDEC 和Intel制定的一种SDRAM内存颗粒（或内存条）技术标准。其中100是指该内存能工作在前端总线（FSB）100MHz的系统中。当初，PC100规范是为配合INTEL推出BX芯片组制定的准则，其规范条款很多，但主要有以下几点： 1、TCK（CLOCK、CYCLE、TIME）内存时钟周期，在100MHZ外频工作时值为10ns; 2、TAC（ACCESS TIME FRONCLK）存取时间小于6ns； 3、PCB必须为六层板，可以滤掉杂波； 4、内存上必须有SPD，SPD一般由内存模组制造商写入，设定内存工作参数。

PC133
　IBM 和Reliance电子公司制定的一种内存芯片（或内存条）技术标准，其中的133指的是该内存工作频率可达133MHz。严格地说，PC133和 PC100内存在制造工艺上没有什么太大的不同，区别只是在制造PC133内存时多了一道"筛选"工序，把内存颗粒中外频超过133 MHz的挑选出来，焊接成高档一些的内存。

Pin
　Pin－针状引脚，内存金手指上的金属接触点。

PLB
　PLB （Pipeline Burst Cache）－脉冲突发式缓存，PLB能使第一个脉冲到达处理器之前，四个数据一个接一个的连续传输中有顺序地读写。PLB常用于SRAM，制造计算机的一级和二级缓存。它分为同步与异步两种工作方式。

PROM
　PROM （Programmable Read-Only Memory）－可编程只读存储器，也叫One-Time Programmable (OTP)ROM，是一种可以用程序操作的只读内存。最主要特征是只允许数据写入一次，如果数据烧入错误只能报废。

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