DDP电路
　DDP(Double Detect and Protect:二重探测与保护)，它可以使Space对输入的信号不再重复处理，同时对声音的频率和方向进行探测,而且自动调整,得到最佳的效果。

DDR
　DDR（Dual Data Rate SDRSM）是最新的内存标准之一，在系统时钟触发沿的上、下沿都能进行数据传输，因此即使在133MHz的总线频率下，带宽也能达到约2.1GB/S，为SDRAM的的两倍左右。

DDR SDRAM
　DDR 是双倍数据速率（Double Data Rate）。从名称上可以看出，这种内存在技术上，与SDRAM有着密不可分的关系，事实上，DDR内存就是SDRAM内存的加强版。它主要是利用时钟脉冲的上升沿与下降沿传输数据，相当于原来两倍的频率的工作效率。 DDR只是对SDRAM技术做了一些加强，所以生产SDRAM的生产线极容易改建于DDR的生产。不过DDR内存为保持较高的数据传输率，电气信号必须要求能较快改变，因此采用了2.5伏的SSTL2标准，其管脚数为184线，与SDRAM在主板上无法实现兼容。 DDR SDRAM有着先天性的优势，因此，取代SDRAM只是时间上的问题，相信随着DDR内存体系的愈加成熟，与SDRAM体系结构间的性能会越拉越大，那时也正是DDR全面铺进千家万户的时刻。

DDR内存
　DDR （Dual date rate） SDRAM 称为"双倍速率SDRAM"，在133MHz的前端总线频率下，带宽可达2.128GB/S。它的工作原理是其能在控制时钟触发沿的上、下沿都能进行数据传输（而SDRAM只在控制时钟的下降沿进行数据传输），因此在一次控制信号过程中，DDR SDRAM能进行两次的数据交换，这也就是它为什么又如此高的带宽。

DIMM
　Dual -Inline-Menory-Modules，即双列直插式存储模块。这是在奔腾CPU推出后出现的新型内存条，DIMM提供了64位的数据通道，因此它在奔腾主板上可以单条使用。它有168条引脚，故称为168线内存条。它要比SIMM插槽要长一些，并且它也支持新型的168线EDO-DRAM存储器。就目前而言，适用DIMM的内存芯片的工作电压一般为3.3V（使用EDORAM内存芯片的168线内存条除外），适用于SIMM的内存芯片的工作电压一般为5V（使用EDORAM或FBRAM内存芯片），二者不能混合使用。

DIMM
　DIMM （Dual In-line Memory Modules），双边接触内存模组。也就是说这种类型接口内存的插板两边都有数据接口触片，这种接口模式的内存广泛应用于现在的计算机中，通常为84 针，由于是双边的，所以共有84×2=168线接触，所以人们常把这种内存称为168线内存。

DIP
　DIP （Dual In-line Package）-双列直插式封装，双入线封装，DRAM的一种元件封装形式。DIP封装的芯片可以插在插座里，也可以永久地焊接在印刷电路板的小孔上。在内存颗粒直接插在主板上的时代，DIP 封装形式曾经十分流行。 DIP还有一种派生方式SDIP（Shrink DIP,紧缩双入线封装），它比DIP的针脚密度要高6六倍。

Direct Rambus
　Direct Rambus－直接总线式随机存储器，Rambus 技术的第三代产品，它为高性能的PC机提供了一种全新的DRAM 结构。现在的SDRAM在64-bit的宽带总线上速度只有100MHz；与此相对照，Direct Rambus在16-bit的窄通道上，其数据传输速度可高达800MHz。

Direct RDRAM
　Direct RDRAM（直接总线式动态随机存储器），该设备的控制线和数据线分开，带有16位接口、带宽高达800 MHz，效率大于90% 。一条Direct RDRAM 使用两个8-bit 通道、工作电压2.5V ，数据传输率可达到1.6 GBps 。它采用一个分离的8位总线（用于地址和控制信号），并拓宽了8到16位或9到18位数据通道，时钟达到400 MHz ，从而在每个针（pin）800Mbps的情况下（共计1.6 GBS）使可用数据带宽最大化。

DMA
　它的意思是直接存储器存取，是一种快速传送数据的机制，DMA技术的重要性在于，利用它进行数据存取时不需要CPU进行干预，可提高系统执行应用程序的效率。利用DMA传送数据的另一个好处是，数据直接在源地址和目的地址之间传送，不需要是中间媒介。

DRAM
　动态内存。该内存中的内容在系统掉电时会完全丢失。DRAM中主要包含路由表，ARP缓存，fast-switch缓存，数据包缓存等。DRAM中也包含有正在执行的路由器配置文件。

DRAM
　DRAM （Dynamic RAM），动态随机存储器。需要用恒电流以保存信息，一断电，信息即丢失。其接口多为72线的SIMM类型。虽然它的刷新频率每秒钟可达几百次，但是由于它采用同一电路来存取数据，所以存取时间有一定的间隔，导致了它的存取速度不是很快。在386、486时期被普遍应用。

ECC
　ECC （Error Correcting Code）－错误更正码，纠错码。ECC是用来检验存储在DRAM中的整体数据的一种电子方式。ECC在设计上比parity更精巧，它不仅能检测出多位数据错误，同时还可以指定出错的数位并改正。通常ECC每个字节使用3个Bit来纠错，而parity只使用一个Bit。ECC另有一种解释是Error Checking

ECC内存
　全称Error Checkingand Correcting。它也是在原来的数据位上外加位来实现的。如8位数据，则需1位用于Parity检验，5位用于ECC，这额外的5位是用来重建错误的数据的。当数据的位数增加一倍，Parity也增加一倍，而ECC只需增加一位，当数据为64位时所用的ECC和Parity位数相同(都为8)。在那些Parity只能检测到错误的地方，ECC可以纠正绝大多数错误。若工作正常时，你不会发觉你的数据出过错，只有经过内存的纠错后，计算机的操作指令才可以继续执行。当然在纠错时系统的性能有着明显降低，不过这种纠错对服务器等应用而言是十分重要的，ECC内存的价格比普通内存要昂贵许多。

EDO DRAM
　EDO DRAM（Extended Data Output RAM），扩展数据输出内存。是Micron公司的专利技术。有72线和168线之分、5V电压、带宽32bit、基本速度40ns以上。传统的DRAM 和FPM DRAM在存取每一bit数据时必须输出行地址和列地址并使其稳定一段时间后，然后才能读写有效的数据，而下一个bit的地址必须等待这次读写操作完成才能输出。EDO DRAM不必等待资料的读写操作是否完成，只要规定的有效时间一到就可以准备输出下一个地址，由此缩短了存取时间，效率比FPM DRAM高20%—30%。具有较高的性/价比，因为它的存取速度比FPM DRAM快15%，而价格才高出5%。

EDORAM
　扩展数据输出内存。EDORAM是通过取消两个存储周期之间的时间间隔，来提高存取速率的。通常，在一个DRAM阵列中读取一个单元时，首先充电选择一行然后再充电选择一列，这些充电线路在稳定之前会有一定的延时，制约了RAM的读写速度。EDO技术假定下一个要读写的地址和当前的地址是连续的（一般是这样），在当前的读写周期中启动下一个读写周期，从而可将RAM速度提高约30%。但是，EDORAM仅适用于总线速度小于或等于66MHz的情况，是97 年最为流行的内存。

EEPROM
　EEPROM (Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory)，电可擦可编程只读存储器--一种掉电后数据不丢失的存储芯片。 EEPROM 可以在电脑上或专用设备上擦除已有信息，重新编程。一般用在即插即用（Plug

ESDRAM
　ESDRAM (Enhanced Synchronous DRAM)－增强型同步动态内存，Enhanced Memory Systems, Inc 公司开发的一种SDRAM，带有一个小型的静态存储器。在嵌入式系统中， ESDRAM代替了SRAM（静态随机存储器），其速度与SRAM相当，但成本和耗电量却比后者低得多。

FLASH内存
　FLASH是一种可擦写、可编程的ROM，FLASH包含IOS及微代码。可以把它想象和PC机的硬盘功能一样，但其速度快得多。可以通过写入新版本和OS对路由器进行软件升级。FLASH中的程序，在系统掉电时不会丢失。

FPM DRAM
　FPM DRAM（Fast Page Mode RAM）:　快速页面模式内存。是一种在486时期被普遍应用的内存。72线、5V电压、带宽32bit、基本速度60ns以上。它的读取周期是从 DRAM阵列中某一行的触发开始，然后移至内存地址所指位置，即包含所需要的数据。第一条信息必须被证实有效后存至系统，才能为下一个周期作好准备。这样就引入了“等待状态”，因为CPU必须傻傻的等待内存完成一个周期。随着性能/价格比更高的EDO DRAM的出现和应用，它只好退出市场。

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