除了以上所说的区别外，DDR2还引入了三项新的技术，它们是OCD、ODT和Post CAS。

　　OCD(Off-Chip Driver):也就是所谓的离线驱动调整。它是一些调整电压而平衡的I/O驱动电阻。DDR II通过调整上拉(Pull-up)/下拉(Pull-down)的电阻值使两者电压相等。也就是Pull-up=Pull-down。实现最少DQ-DQS畸变，改进了信号的完整性，并且通过控制overshoot、undershoot和I/O驱动电压校验，改进信号的质量。使用OCD通过减少DQ-DQS的倾斜来提高信号的完整性;通过控制电压来提高信号品质。

　　ODT:ODT是内建核心的终结电阻器。我们知道使用DDR SDRAM的主板上面为了防止数据线终端反射信号需要大量的终结电阻。它大大增加了主板的制造成本。实际上，不同的内存模组对终结电路的要求是不一样的，终结电阻的大小决定了数据线的信号比和反射率，终结电阻小则数据线信号反射低但是信噪比也较低;终结电阻高，则数据线的信噪比高，但是信号反射也会增加。因此主板上的终结电阻并不能非常好的匹配内存模组，还会在一定程度上影响信号品质。DDR2可以根据自已的特点内建合适的终结电阻，这样可以保证最佳的信号波形。使用DDR2不但可以降低主板成本，还得到了最佳的信号品质，这是DDR不能比拟的。

　　Post CAS:它是为了提高DDR2内存的利用效率而设定的。在Post CAS操作中，CAS信号(读写/命令)能够被插到RAS信号后面的一个时钟周期，CAS命令可以在附加延迟(Additive Latency)后面保持有效。原来的tRCD(RAS到CAS和延迟)被AL(Additive Latency)所取代，AL可以在0，1，2，3，4中进行设置。由于CAS信号放在了RAS信号后面一个时钟周期，因此ACT和CAS信号永远也不会产生碰撞冲突。

　　在上图正常的操作中，此时的各项内存参数为:tRRD=2，tRCD=4，CL=4，AL=0，BL=4(BL就是突发数据长度，Burst Length)。我们看到tRRD(RAS到RAS的延迟)为两个时钟周期，tRCD(RAS到CAS的延迟)是四个时钟周期，因此在第四个时钟周期上面ACT(段激活)和CAS信号产生了碰撞，ACT向后移动一个时钟周期，因此大家可以看到后面的数据传输中间出现了一个时钟周期的BUBBLE。

　　在Post CAS操作中，CAS信号(读写/命令)能够被插到RAS信号后面的一个时钟周期，CAS命令可以在附加延迟(Additive Latency)后面保持有效。原来的tRCD(RAS到CAS和延迟)被AL(Additive Latency)所取代，AL可以在0，1，2，3，4中进行设置。从上图的时序可以看出，Post CAS和Additive Latency的好处。由于CAS信号放在了RAS信号后面一个时钟周期，因此ACT和CAS信号永远也不会产生碰撞冲突。

　　使用Post CAS加Additive Latency会带来三个好处:可以很容易的取消掉命令总线上的Collision(碰撞)现象;提高了命令和数据总线的效率;没有了Bubble，可以提高实际的内存带宽。